[发明专利]一种半导体结构及其制备方法有效
| 申请号： | 202110379707.8 | 申请日： | 2021-04-08 |
| 公开（公告）号： | CN113130316B | 公开（公告）日： | 2022-07-01 |
| 发明（设计）人： | 范俊;曹立强 | 申请（专利权）人： | 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司;上海先方半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065;H01L21/308 |
| 代理公司： | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人： | 薛异荣 |
| 地址： | 214000 江苏省无锡市新吴区太湖国*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： |
本发明提供一种半导体结构及其制备方法，半导体结构的制备方法包括：提供晶圆组，晶圆组包括第一晶圆至第N晶圆，N为大于等于3的整数；在第k晶圆的正面的部分区域嵌入第k阻挡层，k为大于等于3且小于等于N的整数；在第一晶圆的背面的部分区域嵌入第一阻挡层；形成第k |
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| 搜索关键词： | 一种 半导体 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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