[发明专利]半导体结构及其形成方法在审
| 申请号： | 202110358222.0 | 申请日： | 2021-04-01 |
| 公开（公告）号： | CN113497151A | 公开（公告）日： | 2021-10-12 |
| 发明（设计）人： | 曹博昭 | 申请（专利权）人： | 联发科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/10;H01L21/336;B82Y10/00 |
| 代理公司： | 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 | 代理人： | 黎坚怡 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种半导体结构，包括：第一半导体叠层和第二半导体叠层，该第一半导体叠层和该第二半导体叠层中的每一个包括：沟道层，位于该基板上方且在第三方向上彼此间隔开，其中该第三方向垂直于该第一方向和该第二方向；以及栅极结构，包括：在对应的该沟道层周围形成的栅极介电层；以及形成在该栅极介电层上以围绕该沟道层的栅电极，其中，该第一半导体叠层中的沟道层的数量与该第二半导体叠层中的沟道层的数量不同。本发明有选择地减少低功率器件的沟道层数以减小泄漏电流，从而改善器件的电性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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