[发明专利]半导体装置的形成方法在审
| 申请号： | 202110347242.8 | 申请日： | 2021-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN113540220A | 公开（公告）日： | 2021-10-22 |
| 发明（设计）人： | 李家庆;蔡昕翰;邱诗航;汤宗达;吴仲强;锺鸿钦;李显铭;李达元;陈建豪;陈建豪;游国丰;陈嘉伟;许智育 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/49;H01L21/336 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 聂慧荃;闫华 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开实施例提供一种半导体装置的形成方法。半导体装置的形成方法包括移除虚置栅极与虚置栅极介电层以形成凹陷于相邻的多个栅极间隔物之间。沉积栅极介电层于凹陷中，并沉积阻挡层于栅极介电层上。沉积第一功函数层于阻挡层上。形成第一抗反应层于第一功函数层上，而第一抗反应层减少第一功函数层的氧化。沉积填充材料于第一抗反应层上。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 形成 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司，未经台湾积体电路制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202110347242.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：制造显示装置的方法
- 下一篇：半导体装置的形成方法
- 同类专利
- 专利分类
