[发明专利]ScAlN/GaN双势垒共振隧穿二极管及其制作方法有效
| 申请号： | 202110335747.2 | 申请日： | 2021-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN113097312B | 公开（公告）日： | 2022-11-18 |
| 发明（设计）人： | 薛军帅;刘芳;张进成;郝跃;孙志鹏;李蓝星;姚佳佳;杨雪妍;张赫朋 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/88 | 分类号： | H01L29/88;H01L29/06;H01L29/12;H01L29/20;H01L29/205;H01L29/36;H01L29/45;H01L21/329 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 刘长春 |
| 地址： | 710071*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种ScAlN/GaN双势垒共振隧穿二极管及其制作方法，主要解决现有氮化镓共振隧穿二极管峰值电流低、峰谷电流比小和微分负阻效应不对称的问题。其自下而上包括衬底、GaN外延层、n |
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| 搜索关键词： | scaln gan 双势垒 共振 二极管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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