[发明专利]半导体结构及其形成方法在审
| 申请号： | 202110318514.1 | 申请日： | 2021-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN113314611A | 公开（公告）日： | 2021-08-27 |
| 发明（设计）人： | 陈彦羽;程仲良 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336;B82Y40/00;B82Y10/00 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本公开针对具有低水平的泄漏电流和低功耗的全环栅(GAA)晶体管结构。例如，GAA晶体管包括在其上设置有第一源极/漏极(S/D)外延结构和第二S/D外延结构的半导体层，其中第一和第二S/D外延结构被半导体纳米片层隔开。半导体结构还包括插入在半导体层与第一和第二S/D外延结构中的每一个之间的隔离结构。GAA晶体管还包括围绕半导体纳米片层的栅极堆叠。本发明的实施例还涉及半导体结构及其形成方法。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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