[发明专利]CIS深沟槽外延层制作方法在审
| 申请号： | 202110291547.1 | 申请日： | 2021-03-18 |
| 公开（公告）号： | CN113113436A | 公开（公告）日： | 2021-07-13 |
| 发明（设计）人： | 吴天承;李佳龙;黄鹏 | 申请（专利权）人： | 华虹半导体（无锡）有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 214028 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请涉及半导体集成电路制造技术领域，具体涉及一种CIS(CMOS ImageSensor，CMOS图像传感器)深沟槽外延层制作方法。CIS深沟槽外延层制作方法，所述方法包括以下步骤：提供CIS基底层；在所述CIS基底层上，淀积形成掩模层；通过光刻刻蚀工艺，使得所述掩模层定义出隔离区域图案；基于所述隔离区域图案，刻蚀所述基底层，形成深沟槽结构；通过氢气预烘工艺，使得所述深沟槽结构的内表面上光滑化；通过外延生长工艺在光滑的所述深沟槽结构的内表面上生长形成外延层。可以解决相关技术中在深沟槽表面形成的外延隔离层表面凹凸不平的问题。 | ||
| 搜索关键词： | cis 深沟 外延 制作方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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