[发明专利]CIS深沟槽外延层制作方法

权利要求书

1.一种CIS深沟槽外延层制作方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：

提供CIS基底层；

在所述CIS基底层上，淀积形成掩模层；

通过光刻刻蚀工艺，使得所述掩模层定义出隔离区域图案；

基于所述隔离区域图案，刻蚀所述基底层，形成深沟槽结构；

通过氢气预烘工艺，使得所述深沟槽结构的内表面上光滑化；

通过外延生长工艺在光滑的所述深沟槽结构的内表面上生长形成外延层。

2.如权利要求1所述的CIS深沟槽外延层制作方法，其特征在于，所述在所述CIS基底层上，淀积形成掩模层，包括：

通过化学气相淀积工艺，在所述CIS基底层上，淀积形成掩模层。

3.如权利要求1所述的CIS深沟槽外延层制作方法，其特征在于，所述基于所述隔离区域图案，刻蚀所述基底层，形成深沟槽结构步骤中，形成的所述深沟槽结构的深度为1um至3um。

4.如权利要求1所述的CIS深沟槽外延层制作方法，其特征在于，所述方法，在所述基于所述隔离区域图案，刻蚀所述基底层，形成深沟槽结构步骤进行之后，在形成所述光滑的预外延层之前，还进行：

通过湿法刻蚀工艺，清洗去除刻蚀残留物。

5.如权利要求1所述的CIS深沟槽外延层制作方法，其特征在于，所述通过氢气预烘工艺，使得所述深沟槽结构的内表面上光滑化，包括：

在900℃至1100℃温度环境下，通入氢气处理40秒至80秒，使得所述深沟槽结构的内表面光滑化。

6.如权利要求5所述的CIS深沟槽外延层制作方法，其特征在于，所述在900℃至1100℃温度环境下，通入氢气处理40秒至80秒，使得所述深沟槽结构的内表面光滑化步骤中，以5slm至30slm的流速通入氢气。

7.如权利要求1所述的CIS深沟槽外延层制作方法，其特征在于，所述通过外延生长工艺在光滑的所述深沟槽结构的内表面上生长形成外延层，包括：

依照所述深沟槽结构的内表面形貌，通过外延生长工艺，在所述深沟槽结构的内表面上生产第一外延层；

依照所述第一外延层的形貌，通过外延生长工艺，在所述第一外延层上逐层生长形成其他外延层，直至填充满所述深沟槽结构。

8.如权利要求1所述的CIS深沟槽外延层制作方法，其特征在于，所述第一外延层的厚度为50nm至200nm。