[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 202110291207.9 | 申请日： | 2021-03-18 |
| 公开（公告）号： | CN113437139A | 公开（公告）日： | 2021-09-24 |
| 发明（设计）人： | 平田大介;山本晃央 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/417 | 分类号： | H01L29/417;H01L29/423;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 何立波;张天舒 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 得到能够减小导线键合的接合强度的波动，提高可靠性的半导体装置。半导体装置具有与导线(14)之间的键合区域。在键合区域，在半导体基板(1)的主面设置有氧化膜(6)。在氧化膜(6)之上设置有多晶硅层(13)。在多晶硅层(13)之上局部地设置有层间膜(7)。在多晶硅层(13)和层间膜(7)之上设置有阻挡金属(10)。在阻挡金属(10)之上设置有电极(11)。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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