[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 202110291207.9 | 申请日： | 2021-03-18 |
| 公开（公告）号： | CN113437139A | 公开（公告）日： | 2021-09-24 |
| 发明（设计）人： | 平田大介;山本晃央 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/417 | 分类号： | H01L29/417;H01L29/423;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 何立波;张天舒 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体装置，其具有与导线之间的键合区域，
该半导体装置的特征在于，具有：
半导体基板；
氧化膜，其在所述键合区域设置于所述半导体基板的主面；
多晶硅层，其设置于所述氧化膜之上；
层间膜，其在所述多晶硅层之上局部地设置；
阻挡金属，其直接设置于所述多晶硅层和所述层间膜之上；以及
电极，其设置于所述阻挡金属之上。
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
还具有晶体管，该晶体管设置于所述半导体基板，具有栅极电极，
所述多晶硅层和所述栅极电极由相同材质构成。
3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，
所述电极的表面与所述层间膜的图案匹配地成为凹凸形状。
4.根据权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，
所述层间膜具有在与所述主面垂直的俯视观察时呈点状的图案。
5.根据权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，
所述层间膜具有在与所述主面垂直的俯视观察时呈网格状的图案。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的半导体装置，其特征在于，
所述半导体基板由宽带隙半导体形成。
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