[发明专利]半导体结构制作方法及半导体结构有效
| 申请号： | 202110290442.4 | 申请日： | 2021-03-18 |
| 公开（公告）号： | CN113053808B | 公开（公告）日： | 2022-06-17 |
| 发明（设计）人： | 朱柄宇;卢经文 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L27/108;H01L21/8242 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 朱颖;刘芳 |
| 地址： | 230011 安徽省合肥*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明实施例属于半导体结构作技术领域，具体涉及一种半导体结构制作方法及半导体结构。本发明实施例旨在解决相关技术中制作缝隙过程复杂的问题。制作方法具体包括：在基底上形成位线结构；每一位线背离基底的一侧具有绝缘块；在绝缘块背离基底的顶部形成遮挡部，遮挡部在基底的投影面积大于绝缘块在基底上的投影面积；在位线和绝缘块的侧壁上形成绝缘侧壁，遮挡部对应的绝缘侧壁内形成向基底延伸的缝隙。由于遮挡部在基底的投影面积大于位线结构在基底上的投影面积，在形成绝缘侧壁的过程中，遮挡部和基底之间的区域会提前封口，进而在遮挡部对应的绝缘侧壁内形成向基底延伸的缝隙，简化了制作过程，降低了制作难度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 制作方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
