[发明专利]缺陷表征方法和装置有效
| 申请号： | 202110290131.8 | 申请日： | 2021-03-18 |
| 公开（公告）号： | CN113012128B | 公开（公告）日： | 2022-04-15 |
| 发明（设计）人： | 黄宁 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | G06T7/00 | 分类号： | G06T7/00;G06T7/73;G06V10/764;G01N21/88;G01N23/2251 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 张娜;黄健 |
| 地址： | 230011 安徽省合肥*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本申请提供一种缺陷表征方法和装置，该缺陷表征方法包括：获取第一扫描图像及所述第一扫描图像中的目标缺陷坐标；根据所述第一扫描图像中的所述目标缺陷坐标获取第一缺陷图像；所述第一缺陷图像包含目标缺陷所在的缺陷区和不包含所述目标缺陷的噪音区；标记所述噪音区，对所述缺陷区执行ADR计算，获取所述缺陷区中缺陷的像素等级值；获取具有最大像素等级值的缺陷的坐标，根据所述具有最大像素等级值的缺陷的坐标获取第二缺陷图像；根据所述第二缺陷图像对所述具有最大像素等级值的缺陷进行分类。本申请可以解决现有技术无法获取半导体特定缺陷的缺陷图像，降低半导体成品率的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 缺陷 表征 方法 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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