[发明专利]缺陷表征方法和装置

说明书

本申请提供一种缺陷表征方法和装置，该缺陷表征方法包括：获取第一扫描图像及所述第一扫描图像中的目标缺陷坐标；根据所述第一扫描图像中的所述目标缺陷坐标获取第一缺陷图像；所述第一缺陷图像包含目标缺陷所在的缺陷区和不包含所述目标缺陷的噪音区；标记所述噪音区，对所述缺陷区执行ADR计算，获取所述缺陷区中缺陷的像素等级值；获取具有最大像素等级值的缺陷的坐标，根据所述具有最大像素等级值的缺陷的坐标获取第二缺陷图像；根据所述第二缺陷图像对所述具有最大像素等级值的缺陷进行分类。本申请可以解决现有技术无法获取半导体特定缺陷的缺陷图像，降低半导体成品率的问题。

技术领域

本申请涉及半导体制作技术，尤其涉及一种缺陷表征方法和装置。

背景技术

为了在半导体制造中确保高成品率，发现在制作工序中发生的早期缺陷并实施对策是重要的。近年来，随着半导体的微细化，制作工序中产生的缺陷越来越多，越来越微细，因此引入了扫描电子显微镜（Scanning Electric Microscope，简称SEM）对缺陷进行检测，并将检测到的缺陷图像呈现给工作人员。

在现有技术中，一般是通过自动缺陷复查（automatic defect review，简称ADR）对半导体的缺陷进行检测，并对检测到的缺陷进行分类。具体的，SEM扫描半导体表面得到扫描图像，扫描机台根据该扫描图像确定缺陷坐标，再将该缺陷坐标发送至分析机台，由分析机台基于该缺陷坐标和ADR算法对该扫描图像进行处理后得到缺陷图像。其中该缺陷图像的确定是通过ADR算法对该扫描图像的像素等级值进行计算，然后确定最大的像素等级值对应的图像区域为该缺陷图像。

但是，在半导体的制作工序中，有些制作工序会造成半导体上有一些特定的缺陷，研究人员需要根据这些特定的缺陷对制作工序进行改进，从而提高半导体的成品率。但是这些特定的缺陷对应的像素等级值不一定是最大的像素等级值，这样依照现有技术的方法则无法找出这些特定的缺陷所对应的缺陷图像。除此之外，研究人员有时候也需要获取一些特定的缺陷图像以进行进一步的研究分析，以完善半导体制作工序。因此，如何获取半导体特定缺陷的缺陷图像，以提高半导体的成品率，是半导体制作中至关重要的问题。

发明内容

本申请提供一种缺陷表征方法和装置，用以解决现有技术无法获取半导体特定缺陷的缺陷图像，降低半导体成品率的问题。

一方面，本申请提供一种缺陷表征方法，包括：

获取第一扫描图像及所述第一扫描图像中的目标缺陷坐标；

根据所述第一扫描图像中的所述目标缺陷坐标获取第一缺陷图像；所述第一缺陷图像包含目标缺陷所在的缺陷区和不包含所述目标缺陷的噪音区；

标记所述噪音区，对所述缺陷区执行ADR计算，获取所述缺陷区中缺陷的像素等级值；

获取具有最大像素等级值的缺陷的坐标，以所述具有最大像素等级值的缺陷的坐标为中心点坐标，局部放大所述第一缺陷图像，以获取第二缺陷图像；

判断所述具有最大像素等级值的缺陷是否为第一扫描图像中的所述目标缺陷：

若是，根据所述第二缺陷图像对所述具有最大像素等级值的缺陷进行分类；

若否，则返回对所述第一缺陷图像中包含所述具有最大像素等级值的缺陷的缺陷区标记，对缺陷区中的未标记区进行ADR计算，再次获取所述具有最大像素等级值的缺陷，判断所述具有最大像素等级值的缺陷是否为第一扫描图像中的所述目标缺陷，直至所述具有最大像素等级值的缺陷为第一扫描图像中的所述目标缺陷。

其中一个实施例中，通过检查系统获取所述第一扫描图像，所述检查系统包括激光扫描图案化缺陷检查系统；

通过检查系统获取所述第一缺陷图像和所述第二缺陷图像，所述检查系统包括复查扫描电子显微镜。