[发明专利]一种MEMS芯片及其制作方法、MEMS麦克风

摘要

本发明提供一种MEMS芯片及其制作方法、MEMS麦克风。其中，所述MEMS芯片主要包括：振膜、与振膜相对设置的背极以及二者之间的振动间隙；所述振膜、所述背极及所述振动间隙形成电容器结构；所述振膜、所述背极的部分表面设有XeF2阻隔层，所述振动间隙通过XeF2干法化学腐蚀的方法释放多晶硅牺牲层形成。本发明采用的XeF2干法化学各向同性腐蚀方法，与常见的湿法腐蚀和干法物理刻蚀相比，具有工艺简单、选择比高、无离子轰击和无结构粘附等优点，有利于减少MEMS芯片在加工过程中的损伤，提高MEMS芯片的成品率和可靠性。