[发明专利]具有边缘支撑件的经薄化半导体芯片在审
申请号: | 202110268975.2 | 申请日: | 2021-03-12 |
公开(公告)号: | CN113394175A | 公开(公告)日: | 2021-09-14 |
发明(设计)人: | D·威尔科克森;庄乔舜;R·刘;T·蔡;W·张 | 申请(专利权)人: | 达尔科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L23/31 | 分类号: | H01L23/31;H01L25/07;H01L23/10 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 陈甜甜 |
地址: | 美国德*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本申请案涉及一种具有边缘支撑件的经薄化半导体芯片。揭示一种装置电阻得以减小的半导体装置。所述半导体装置包括半导体芯片,其中所述芯片的安置有电路元件的中心部分处的芯片厚度是均匀的且不同于在远离所述电路元件的芯片侧面附近的芯片厚度。 | ||
搜索关键词: | 具有 边缘 支撑 经薄化 半导体 芯片 | ||
【主权项】:
暂无信息
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