[发明专利]具有边缘支撑件的经薄化半导体芯片

权利要求书

1.一种半导体装置，其包括：

半导体芯片，其具有芯片顶部表面、芯片底部表面及正交芯片侧面；

电路元件，其在所述芯片顶部表面附近安置在所述芯片的中心部分中；且

所述芯片在所述电路元件附近在所述芯片的所述中心部分处具有均匀的第一厚度，且在远离所述电路元件的所述芯片侧面附近具有与所述第一厚度不同的变化的第二厚度。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其进一步包括：

线性壁结构，其沿着所述芯片侧面安置，封围所述芯片的所述中心部分；

所述壁结构具有从所述芯片顶部表面朝向所述芯片底部表面延伸的外表面及朝向所述芯片的所述中心部分的外延部分；且

所述外延部分具有变化的厚度。

3.根据权利要求2所述的半导体装置，其进一步包括模制化合物层，所述模制化合物层覆盖芯片背表面及所述壁结构的内表面。

4.根据权利要求3所述的半导体装置，其进一步包括金属层，所述金属层安置在所述模制化合物层与所述芯片底部表面之间。

5.根据权利要求2所述的半导体装置，其中所述芯片底部表面在所述壁结构附近是凹形的。

6.根据权利要求4所述的半导体装置，其中所述壁结构的所述外表面不被金属层覆盖。

7.根据权利要求2所述的半导体装置，其进一步包括具有第一电阻率的半导体外延层。

8.根据权利要求7所述的半导体装置，其进一步包括位于所述外延层下方的半导体衬底层，所述半导体衬底层具有比所述第一电阻率低的第二电阻率。

9.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述电路元件包括整流器。

10.根据权利要求9所述的半导体装置，其中所述整流器包括可从所述芯片顶部表面接达的两个端子。

11.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述电路元件包括MOSFET。

12.根据权利要求11所述的半导体装置，其中所述MOSFET包括可从所述芯片顶部表面接达的两个端子。

13.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述电路元件包括两个MOSFET。

14.根据权利要求13所述的半导体装置，其中所述两个MOSFET包括可从所述芯片顶部表面接达的四个端子及由芯片背表面处的背侧金属层连接的两个端子。

15.根据权利要求8所述的半导体装置，其中所述壁结构包括外延层的区段及衬底层的区段。

16.一种制作半导体装置的工艺，其包括蚀刻步骤，所述蚀刻步骤施加等离子体以从半导体晶片的背侧挖除材料以形成封围芯片的平坦中心部分的线性壁结构。