[发明专利]金属氧化物半导体场效应晶体管及其制备方法和应用有效
| 申请号： | 202110268619.0 | 申请日： | 2021-03-12 |
| 公开（公告）号： | CN113054029B | 公开（公告）日： | 2022-11-18 |
| 发明（设计）人： | 马万里 | 申请（专利权）人： | 深圳方正微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/16;H01L21/336 |
| 代理公司： | 华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 陈春渠 |
| 地址： | 518172 广东省深圳市龙*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种金属氧化物半导体场效应晶体管及其制备方法和应用。该金属氧化物半导体场效应晶体管包括N型基体，N型基体的一侧设有沟槽，N型基体内设有P‑体区、P+区和N+区，P‑体区包绕沟槽，P+区自沟槽的槽底向P‑体区延伸，N+区包括第一N+区和第二N+区，第一N+区在沟槽内围绕沟槽的侧壁设置且露出P+区，第二N+区在相邻的P‑体区之间；栅氧化层，栅氧化层设置在N型基体的设有沟槽的一侧，并且露出沟槽；多晶硅层，多晶硅层设置在栅氧化层上，多晶硅层、栅氧化层、P+区与N+区围成接触孔；以及第一金属层，第一金属层设在多晶硅层上且向下延伸填充满接触孔，上述结构的晶体管在不降低单脉冲雪崩击穿能量的同时还提高了器件的工作速度。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 氧化物 半导体 场效应 晶体管 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
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