[发明专利]一种DRAM结构及其制备方法

摘要

本发明涉及一种DRAM结构及其制备方法。一种DRAM结构包括：半导体衬底设有有源区，有源区包括至少一个晶体管和至少一个电容器，晶体管包括形成于衬底上的栅极及位于栅极两侧半导体衬底中的源区和漏区；电容器与晶体管的源区和漏区中的一个相连接；栅极的两侧设有呈多层的侧墙结构；侧墙结构的最外层为碳氧化硅层。其制备方法：在半导体衬底有源区的衬底上形成栅极；在栅极两侧形成呈多层的侧墙结构，侧墙结构的最外层为碳氧化硅层；在栅极两侧的半导体衬底中分别形成源区和漏区；在有源区形成电容器，电容器与源区和漏区之一相连接。本发明采用碳氧化硅材料制作侧墙，可以减缓或消除蚀刻引起的缺陷，从而提高器件质量。