[发明专利]一种DRAM结构及其制备方法在审
| 申请号： | 202110256229.1 | 申请日： | 2021-03-09 |
| 公开（公告）号： | CN115050743A | 公开（公告）日： | 2022-09-13 |
| 发明（设计）人： | 李相遇;熊文娟;蒋浩杰;李亭亭;崔恒玮;罗英 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L27/108 | 分类号： | H01L27/108 |
| 代理公司： | 北京辰权知识产权代理有限公司 11619 | 代理人： | 史晶晶 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 dram 结构 及其 制备 方法 | ||
1.一种DRAM结构，其特征在于，包括：
半导体衬底；
所述半导体衬底设有有源区，所述有源区包括至少一个晶体管和至少一个电容器，
所述晶体管包括形成于衬底上的栅极及位于栅极两侧半导体衬底中的源区和漏区；
所述电容器与所述晶体管的所述源区和漏区中的一个相连接；
所述栅极的两侧设有呈多层的侧墙结构；
所述侧墙结构的最外层为碳氧化硅层。
2.根据权利要求1所述的DRAM结构，其特征在于，所述碳氧化硅层中碳含量≥50％。
3.根据权利要求1所述的DRAM结构，其特征在于，所述碳氧化硅层中碳含量由里层至表层逐渐增加。
4.根据权利要求1-3任一项所述的DRAM结构，其特征在于，所述侧墙结构包括由里至外分布的氮化硅层、氧化硅层和所述碳氧化硅层。
5.一种DRAM结构的制造方法，其特征在于，包括：
提供半导体衬底；
在半导体衬底上形成有源区；
在所述有源区的衬底上形成栅极；
在所述栅极两侧形成呈多层的侧墙结构，其中，所述侧墙结构的最外层为碳氧化硅层；
在所述栅极两侧的半导体衬底中分别形成源区和漏区；
在所述有源区形成电容器，所述电容器与所述源区和所述漏区之一相连接。
6.权利要求5所述的制造方法，其特征在于，所述碳氧化硅层中碳含量≥50％。
7.根据权利要求5或6所述的制造方法，其特征在于，所述碳氧化硅层中碳含量由里层至表层逐渐增加。
8.根据权利要求5所述的制造方法，其特征在于，所述侧墙结构包括由里至外分布的氮化硅层、氧化硅层和所述碳氧化硅层。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司，未经中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
