[发明专利]半导体存储装置及其制造方法在审
| 申请号： | 202110244524.5 | 申请日： | 2021-03-05 |
| 公开（公告）号： | CN113437078A | 公开（公告）日： | 2021-09-24 |
| 发明（设计）人： | 小宫谦 | 申请（专利权）人： | 铠侠股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/11524 | 分类号： | H01L27/11524;H01L27/1157;H01L27/11556;H01L27/11582 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 杨林勳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 实施方式涉及一种半导体存储装置及其制造方法。实施方式的半导体存储装置包括：半导体衬底；结构体，由多个绝缘膜及多个导电膜交替地积层在半导体衬底上而成；及柱状体，贯通结构体；多个导电膜包含多个第1导电膜、及配置在相比多个第1导电膜更靠半导体衬底侧的第2导电膜，柱状体与第2导电膜一起作为源极侧选择栅极晶体管的一部分发挥功能，在与半导体衬底相接的部分具有掺杂有硼与碳的第1外延生长层，且多个第1导电膜作为多个非易失性存储单元的一部分发挥功能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
