[发明专利]MEMS传感器及其微机电结构、微机电结构的制造方法在审
| 申请号: | 202110212913.X | 申请日: | 2021-02-25 |
| 公开(公告)号: | CN112897448A | 公开(公告)日: | 2021-06-04 |
| 发明(设计)人: | 孟燕子;孙恺;荣根兰;胡维 | 申请(专利权)人: | 苏州敏芯微电子技术股份有限公司 |
| 主分类号: | B81B3/00 | 分类号: | B81B3/00;B81C1/00 |
| 代理公司: | 北京成创同维知识产权代理有限公司 11449 | 代理人: | 蔡纯;杨思雨 |
| 地址: | 215123 江苏省苏州市苏州*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | 本申请公开了一种MEMS传感器及其微机电结构、微机电结构的制造方法。该微机电结构包括:背板,具有至少一个通孔;感应膜,包括运动区、非运动区、连接运动区与非运动区的梁结构,运动区与背板构成可变电容;至少一个连接柱,每个连接柱的一端与感应膜的运动区固定连接;以及至少一个可动结构,分别位于相应的通孔中以与背板分离,每个可动结构与相应的连接柱的另一端固定连接,其中,可动结构在感应膜上的正投影与部分非运动区重合。该微机电结构通过可动结构对感应膜的形变程度进行限制,从而提高MEMS传感器的抗机械冲击能力。 | ||
| 搜索关键词: | mems 传感器 及其 微机 结构 制造 方法 | ||
【主权项】:
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