[发明专利]MEMS传感器及其微机电结构、微机电结构的制造方法在审

专利信息
申请号: 202110212913.X 申请日: 2021-02-25
公开(公告)号: CN112897448A 公开(公告)日: 2021-06-04
发明(设计)人: 孟燕子;孙恺;荣根兰;胡维 申请(专利权)人: 苏州敏芯微电子技术股份有限公司
主分类号: B81B3/00 分类号: B81B3/00;B81C1/00
代理公司: 北京成创同维知识产权代理有限公司 11449 代理人: 蔡纯;杨思雨
地址: 215123 江苏省苏州市苏州*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: mems 传感器 及其 微机 结构 制造 方法
【说明书】:

本申请公开了一种MEMS传感器及其微机电结构、微机电结构的制造方法。该微机电结构包括:背板,具有至少一个通孔;感应膜,包括运动区、非运动区、连接运动区与非运动区的梁结构,运动区与背板构成可变电容;至少一个连接柱,每个连接柱的一端与感应膜的运动区固定连接;以及至少一个可动结构,分别位于相应的通孔中以与背板分离,每个可动结构与相应的连接柱的另一端固定连接,其中,可动结构在感应膜上的正投影与部分非运动区重合。该微机电结构通过可动结构对感应膜的形变程度进行限制,从而提高MEMS传感器的抗机械冲击能力。

技术领域

本申请涉及半导体器件制造领域,更具体地,涉及MEMS传感器及其微机电结构、微机电结构的制造方法。

背景技术

基于微机电系统(Micro Electro Mechanical Systems,MEMS)制造的传感器被称为MEMS传感器,MEMS传感器由于极小的体积、良好的性能而被受重视。目前电容式MEMS传感器的感应膜固定方式大多采用四周紧固式或梁结构固定式。感应膜的刚度主要由预应力和尺寸决定。对于四周紧固式而言,感应膜的边缘均会被固定,从而使得感应膜的预应力增加,增加了感应膜的刚度,使得感应膜的形变能力的形变能力变差,与同样尺寸的梁结构固定式感应膜相比,灵敏度低,因此需要通过扩大感应膜面积来尺寸降低感应膜的刚度,以提高器件的灵敏度和信噪比。但是随着感应膜尺寸的增加,MEMS传感器的整体尺寸也会增加,不利于器件的小型化。对于梁结构固定式而言,通过凹槽将感应膜分隔运动区和非运动区,并采用梁结构将运动区和非运动区连接,与四周紧固式感应膜相比,预应力减小,且变形过程中的应力集中也减小,可以实现在较小的尺寸下得到较高的信噪比,进而可降低产品的成本。为进一步电子产品的小型化奠定基础。

然而,在采用梁结构固定感应膜时,梁结构的尺寸很小,使得这类产品的抗机械冲击能力差,产品在应用过程中比较容易失效。

因此,希望提供一种改进的MEMS传感器及其微机电结构,从而在保障MEMS传感器性能的同时,提高MEMS传感器的抗机械冲击能力。

发明内容

有鉴于此,本发明提供了一种改进的MEMS传感器及其微机电结构、微机电结构的制造方法,通过可动结构对感应膜的形变程度进行限制,从而提高MEMS传感器的抗机械冲击能力。

根据本发明实施例的第一方面,提供了一种微机电结构,包括:背板,具有至少一个通孔;感应膜,包括运动区、非运动区、连接所述运动区与所述非运动区的梁结构,所述运动区与所述背板构成可变电容;至少一个连接柱,每个所述连接柱的一端与所述感应膜的运动区固定连接;以及至少一个可动结构,分别位于相应的所述通孔中以与所述背板分离,每个所述可动结构与相应的所述连接柱的另一端固定连接,其中,所述可动结构在所述感应膜上的正投影与部分所述非运动区重合。

可选地,所述连接柱与所述梁结构相邻且不接触。

可选地,所述梁结构包括弯折梁。

可选地,还包括:衬底,具有背腔;第一支撑部,位于所述衬底上,并围绕所述背腔,所述感应膜位于所述第一支撑部上,且所述非运动区与所述第一支撑部固定连接;以及第二支撑部,位于所述感应膜与所述背板之间,且所述非运动区与所述第二支撑部固定连接。

可选地,所述背板包括:绝缘层,位于所述第二支撑部上;以及第二导电层,位于所述绝缘层上,其中,所述第二导电层的位置与运动区对应。

可选地,多个所述可动结构均匀分布在所述第二导电层的边缘。

可选地,所述连接柱与所述可动结构为一体结构。

可选地,还包括至少一个防粘部,位于所述绝缘层面向所述感应膜的表面。

可选地,所述防粘部与所述绝缘层为一体结构。

可选地,所述背板还具有至少一个声孔,所述声孔与所述感应膜的运动区对应,所述感应膜具有至少一个泄气孔,位于所述运动区。

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