[发明专利]倒装发光二极管芯片及其制作方法在审
| 申请号： | 202110208547.0 | 申请日： | 2021-02-24 |
| 公开（公告）号： | CN113130718A | 公开（公告）日： | 2021-07-16 |
| 发明（设计）人： | 兰叶;王江波;吴志浩;李鹏;陶羽宇 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（浙江）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/40 | 分类号： | H01L33/40;H01L33/44;H01L33/46;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 吕耀萍 |
| 地址： | 322000 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本公开提供了一种倒装发光二极管芯片及其制作方法，属于半导体技术领域。该倒装发光二极管芯片的反射电极包括基础层和包覆在基础层外表面的保护层，基础层为Ag层，保护层包括依次层叠在基础层上的第一子层和第二子层，第一子层和第二子层均为Ni/Pt/Ti复合层，且第一子层是按照溅射时芯片法线方向和靶材法线方向夹角为α加工而成的，15≤α≤25°，第二子层是按照溅射时芯片法线方向和靶材法线方向夹角为β加工而成的，25°≤β≤35°，α＜β。该芯片可以提高反射电极中银金属结构的耐用性，避免外界环境对银造成氧化腐蚀。 | ||
| 搜索关键词： | 倒装 发光二极管 芯片 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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