[发明专利]倒装发光二极管芯片及其制作方法

说明书

本公开提供了一种倒装发光二极管芯片及其制作方法，属于半导体技术领域。该倒装发光二极管芯片的反射电极包括基础层和包覆在基础层外表面的保护层，基础层为Ag层，保护层包括依次层叠在基础层上的第一子层和第二子层，第一子层和第二子层均为Ni/Pt/Ti复合层，且第一子层是按照溅射时芯片法线方向和靶材法线方向夹角为α加工而成的，15≤α≤25°，第二子层是按照溅射时芯片法线方向和靶材法线方向夹角为β加工而成的，25°≤β≤35°，α＜β。该芯片可以提高反射电极中银金属结构的耐用性，避免外界环境对银造成氧化腐蚀。

技术领域

本公开涉及半导体技术领域，特别涉及一种倒装发光二极管芯片及其制作方法。

背景技术

发光二极管(英文：Light Emitting Diode，简称：LED)是一种能发光的半导体电子元件。其中，倒装LED因为散热和焊线等环节的结构方案稳定，而受到市场的欢迎。

相关技术中，倒装LED芯片包括衬底、N型半导体层、有源层、P型半导体层、透明导电层、透明反射层、反射电极和连接电极。N型半导体层、有源层和P型半导体层依次层叠在衬底上，P型半导体层上设有延伸至N型半导体层的凹槽。透明导电层、透明反射层和反射电极依次层叠在P型半导体层上，透明反射层内设有延伸至透明导电层的通孔，反射电极设置在通孔内与透明导电层接触，并铺设在透明反射层上。连接电极设置在凹槽内的N型半导体层上。

上述倒装LED芯片中，反射电极通常采用反射效果较好Ag层构成，然而反射电极暴露在外界环境中，容易导致Ag反射电极逐步被氧化腐蚀，最后使芯片的发光性能变差。

发明内容

本公开实施例提供了一种倒装发光二极管芯片及其制作方法，可以提高反射电极中银金属结构的耐用性，避免外界环境对银造成氧化腐蚀。所述技术方案如下：

一方面，提供了一种倒装发光二极管芯片，所述倒装发光二极管芯片包括衬底、N型半导体层、有源层、P型半导体层、透明导电层、透明介质层、反射电极、连接电极和分布式布拉格反射层；所述N型半导体层、所述有源层和所述P型半导体层依次层叠在所述衬底上，所述P型半导体层上设有延伸至所述N型半导体层的凹槽、以及延伸至所述衬底的隔离槽；所述透明导电层和所述透明介质层依次层叠在所述P型半导体层上，所述透明介质层内设有多个延伸至所述透明导电层的通孔；所述反射电极设置在多个所述通孔内与所述透明导电层接触，并铺设在所述透明介质层上；所述连接电极设置在所述凹槽内的N型半导体层上；所述分布式布拉格反射层铺设在所述凹槽和所述隔离槽的各个表面上，

所述反射电极包括基础层和包覆在所述基础层外表面的保护层，所述基础层为Ag层，所述保护层包括依次层叠在所述基础层上的第一子层和第二子层，所述第一子层和所述第二子层均为Ni/Pt/Ti复合层，且所述第一子层是按照溅射时芯片法线方向和靶材法线方向夹角为α加工而成的，15≤α≤25°，所述第二子层是按照溅射时芯片法线方向和靶材法线方向夹角为β加工而成的，25°≤β≤35°，α＜β。

可选地，α＝20°，β＝30°。

可选地，所述基础层的厚度为250～350nm。

可选地，所述第二子层中Ni层的厚度大于所述第一子层中Ni层的厚度，所述第二子层中Pt层的厚度大于所述第一子层中Pt层的厚度，所述第二子层中Ti层的厚度大于所述第一子层中Ti层的厚度。

可选地，所述第一子层中Ni层的厚度为50～150nm，Pt层的厚度为100～300nm，Ti层的厚度为50～150nm。

可选地，所述第二子层中Ni层的厚度为100～30nm，Pt层的厚度为200～400nm，Ti层的厚度为100～300nm。

可选地，所述反射电极还包括设置在所述基础层和所述保护层之间的阻挡层，所述阻挡层包括交替层叠在所述基础层上的Ni层和Pt层。