[发明专利]倒装发光二极管芯片及其制作方法

权利要求书

1.一种倒装发光二极管芯片，所述倒装发光二极管芯片包括衬底(10)、N型半导体层(21)、有源层(22)、P型半导体层(23)、透明导电层(31)、透明介质层(32)、反射电极(41)、连接电极(42)和分布式布拉格反射层(51)；所述N型半导体层(21)、所述有源层(22)和所述P型半导体层(23)依次层叠在所述衬底(10)上，所述P型半导体层(23)上设有延伸至所述N型半导体层(21)的凹槽(100)、以及延伸至所述衬底(10)的隔离槽(200)；所述透明导电层(31)和所述透明介质层(32)依次层叠在所述P型半导体层(23)上，所述透明介质层(32)内设有多个延伸至所述透明导电层(31)的通孔(300)；所述反射电极(41)设置在多个所述通孔(300)内与所述透明导电层(31)接触，并铺设在所述透明介质层(32)上；所述连接电极(42)设置在所述凹槽(100)内的N型半导体层(21)上；所述分布式布拉格反射层(51)铺设在所述凹槽(100)和所述隔离槽(200)的各个表面上，其特征在于，

所述反射电极(41)包括基础层(411)和包覆在所述基础层(411)外表面的保护层(412)，所述基础层(411)为Ag层，所述保护层(412)包括依次层叠在所述基础层(411)上的第一子层(412a)和第二子层(412b)，所述第一子层(412a)和所述第二子层(412b)均为Ni/Pt/Ti复合层，且所述第一子层(412a)是按照溅射时芯片法线方向和靶材法线方向夹角为α加工而成的，15≤α≤25°，所述第二子层(412b)是按照溅射时芯片法线方向和靶材法线方向夹角为β加工而成的，25°≤β≤35°，α＜β。

2.根据权利要求1所述的倒装发光二极管芯片，其特征在于，α＝20°，β＝30°。

3.根据权利要求1所述的倒装发光二极管芯片，其特征在于，所述基础层(411)的厚度为250～350nm。

4.根据权利要求1所述的倒装发光二极管芯片，其特征在于，所述第二子层(412b)中Ni层的厚度大于所述第一子层(412a)中Ni层的厚度，所述第二子层(412b)中Pt层的厚度大于所述第一子层(412a)中Pt层的厚度，所述第二子层(412b)中Ti层的厚度大于所述第一子层(412a)中Ti层的厚度。

5.根据权利要求4所述的倒装发光二极管芯片，其特征在于，所述第一子层(412a)中Ni层的厚度为50～150nm，Pt层的厚度为100～300nm，Ti层的厚度为50～150nm。

6.根据权利要求4所述的倒装发光二极管芯片，其特征在于，所述第二子层(412b)中Ni层的厚度为100～30nm，Pt层的厚度为200～400nm，Ti层的厚度为100～300nm。

7.根据权利要求1所述的倒装发光二极管芯片，其特征在于，所述反射电极(41)还包括设置在所述基础层(411)和所述保护层(412)之间的阻挡层(413)，所述阻挡层(413)包括交替层叠在所述基础层(411)上的Ni层和Pt层。

8.根据权利要求1至7任一项所述的倒装发光二极管芯片，其特征在于，所述倒装发光二极管芯片还包括有机钝化层(52)，所述有机钝化层(52)包覆在所述分布式布拉格反射层(51)外，且铺设在所述P型半导体层(23)上，所述有机钝化层(52)为氧化硅层，所述分布式布拉格反射层(51)的与所述有机钝化层(52)接触的一面进行了灰化处理。

9.根据权利要求8所述的倒装发光二极管芯片，其特征在于，所述P型半导体层(23)上与所述有机钝化层(52)接触的区域进行了粗化处理。

10.一种倒装发光二极管芯片的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：

在衬底上依次生长N型半导体层、有源层和P型半导体层；

在所述P型半导体层上开设延伸至所述N型半导体层的凹槽和延伸至所述衬底的隔离槽；

在所述P型半导体层上依次形成透明导电层和透明介质层；

在所述透明介质层内开设延伸至所述透明导电层的通孔；

在所述通孔内和所述透明介质层上形成反射电极，所述反射电极在所述通孔内与所述透明导电层接触，所述反射电极包括基础层和包覆在所述基础层外表面的保护层，所述基础层为Ag层，所述保护层包括依次层叠在所述基础层上的第一子层和第二子层，所述第一子层和所述第二子层均为Ni/Pt/Ti复合层，且所述第一子层是按照溅射时芯片法线方向和靶材法线方向夹角为α加工而成的，15≤α≤25°，所述第二子层是按照溅射时芯片法线方向和靶材法线方向夹角为β加工而成的，25°≤β≤35°，α＜β；

在所述凹槽内的N型半导体层上形成连接电极；

在所述凹槽和所述隔离槽的各个表面上形成分布式布拉格反射层。