[发明专利]存储器元件及其制作方法在审
| 申请号： | 202110207969.6 | 申请日： | 2021-02-24 |
| 公开（公告）号： | CN114975579A | 公开（公告）日： | 2022-08-30 |
| 发明（设计）人： | 潘志豪;黄启政;李国隆;王思苹;陈柏瑄;郑兆陞 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/792;H01L21/336;H01L27/1157 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种存储器元件及其制作方法，其中该存储器元件包含一基底，一第一浅沟槽隔离和一第二浅沟槽隔离埋入于基底，其中第一浅沟槽隔离和第二浅沟槽隔离沿着一第一方向延伸，一主动区域设置在基底上并且位于第一浅沟槽隔离和第二浅沟槽隔之间，一控制栅极设置于基底上，并且控制栅极沿着一第二方向延伸，其中第一方向和第二方向相异，一隧穿区设置在和控制栅极重叠的主动区域中，一第一沟槽埋入于隧穿区，二第二沟槽分别埋入于第一浅沟槽隔离和第二浅沟槽隔离，其中控制栅极填入第一沟槽和第二沟槽以及一电荷捕捉堆叠层设置于隧穿区和控制栅极之间。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 元件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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