[发明专利]存储器元件及其制作方法

权利要求书

1.一种存储器元件，其特征在于，包含：

基底：

第一浅沟槽隔离和第二浅沟槽隔离，埋入于该基底，其中该第一浅沟槽隔离和该第二浅沟槽隔离沿着第一方向延伸；

主动区域，设置在该基底上并且位于该第一浅沟槽隔离和该第二浅沟槽隔离之间；

控制栅极，设置于该基底上，并且该控制栅极沿着第二方向延伸，其中该第一方向和该第二方向相异：

隧穿区，设置在和该控制栅极重叠的该主动区域中；

第一沟槽，埋入于该隧穿区；

二第二沟槽，分别埋入于该第一浅沟槽隔离和该第二浅沟槽隔离，其中该控制栅极填入该第一沟槽和该二第二沟槽；以及

电荷捕捉堆叠层，设置于该隧穿区和该控制栅极之间。

2.如权利要求1所述的存储器元件，其中该第一沟槽包含第一宽度沿着该第二方向延伸，该主动区域包含第二宽度沿着该第二方向延伸，该第一宽度小于该第二宽度。

3.如权利要求1所述的存储器元件，其中该第一沟槽包含第一深度设置于该基底中，该第一浅沟槽隔离中的该第二沟槽包含第二深度设置于该基底中，该第一深度等于该第二深度。

4.如权利要求1所述的存储器元件，其中该控制栅极在该第一沟槽中具有第一底面，该控制栅极在围绕该第一沟槽的该主动区域上具有第二底面，相对于该基底的底部，该第一底面较该第二底面低。

5.如权利要求1所述的存储器元件，另包含两个源极/漏极掺杂区，设置于该控制栅极两侧的该主动区域中。

6.如权利要求1所述的存储器元件，其中位于该第一沟槽中的该控制栅极的上表面具有凹入轮廓。

7.如权利要求1所述的存储器元件，其中该电荷捕捉堆叠层为一层氧化硅-氮化硅-氧化硅层。

8.如权利要求1所述的存储器元件，其中该隧穿区的上表面包含一凹入轮廓和二凸出轮廓，该凹入轮廓会在该二凸出轮廓之间。

9.如权利要求1所述的存储器元件，其中在沿着与该基底上表面垂直的方向，在该第一沟槽中的该控制栅极的上表面高于该基底的上表面。

10.一种存储器元件的制作方法，包含：

提供基底，第一浅沟槽隔离和第二浅沟槽隔离埋入于该基底，该第一浅沟槽隔离和该第二浅沟槽隔离沿着第一方向延伸，其中主动区域设置在该基底上并且位于该第一浅沟槽隔离和该第二浅沟槽隔之间，垫氧化层接触该主动区域，该第一浅沟槽隔离接触部分的该垫氧化层的上表面，该第二浅沟槽隔离接触部分的该垫氧化层的上表面；

移除未被该第一浅沟槽隔离和该第二浅沟槽隔离覆盖的该垫氧化层以曝露部分的该主动区域；

进行加热制作工艺以氧化由该第一浅沟槽隔离和该第二浅沟槽隔曝露出来的该主动区域以形成氧化硅层；

移除该氧化硅层、该垫氧化层、部分的该第一浅沟槽隔离和部分的该第二浅沟槽隔离以在该主动区域中形成第一沟槽、在该第一浅沟槽隔离中形成第二沟槽与在该第二浅沟槽隔离中形成另一第二沟槽；

形成电荷捕捉堆叠层填入该第一沟槽、该两个第二沟槽并且覆盖该主动区域；以及

形成控制栅极填入该第一沟槽、该两个第二沟槽、覆盖该基底，其中该控制栅极沿着第二方向延伸，该第一方和该第二方向相异。

11.如权利要求10所述的存储器元件的制作方法，另包含：

形成两个源极/漏极掺杂区设置于该控制栅极两侧的该主动区域中。

12.如权利要求10所述的存储器元件的制作方法，其中该第一沟槽包含第一宽度沿着该第二方向延伸，该主动区域包含第二宽度沿着该第二方向延伸，该第一宽度小于该第二宽度。