[发明专利]一种形成半导体图案的方法及半导体器件的制造方法

摘要

本公开具体可提供一种形成半导体图案的方法及半导体器件的制造方法。形成半导体图案的方法可以包括但不限于如下的步骤：提供半导体衬底，并在该半导体衬底上形成第一膜层。在第一膜层上形成牺牲层，在牺牲层上形成第一图案。在牺牲层内形成第二图案，其中第二图案与第一图案组成目标图案，然后将该目标图案转移到第一膜层上。半导体器件的制造方法包括但不限于本公开形成半导体图案的方法。本公开能够在已生成的图案基础上生成新的图案，已生成的图案与新的图案共同组成最终的图案，从而能够解决现有间距倍增技术无法适用于某些特殊图形的问题。本公开容易实现间距倍增的技术效果，能够较好地形成具有小间距的复杂半导体图案，适用范围较广。