[发明专利]半导体存储装置以及读出方法在审
| 申请号： | 202110201670.X | 申请日： | 2021-02-23 |
| 公开（公告）号： | CN113496755A | 公开（公告）日： | 2021-10-12 |
| 发明（设计）人： | 妹尾真言 | 申请（专利权）人： | 华邦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C29/42 | 分类号： | G11C29/42;G11C16/34 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 宋兴;刘芳 |
| 地址： | 中国台湾台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种能够实现读出动作时的ECC处理时间的缩短的半导体存储装置与读出方法。本发明的快闪存储器包括：存储胞元阵列；页面缓冲器/读出电路，保持从存储胞元阵列的选择页面读出的数据；错误检测纠正电路，从页面缓冲器/读出电路接收数据，并保持所述数据的错误位置信息；输出电路，基于列地址来从页面缓冲器/读出电路选择数据，并将所选择的数据输出至数据总线；以及错误纠正部件，基于错误位置信息来纠正数据总线的数据。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 装置 以及 读出 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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