[发明专利]位线控制器、页缓冲器和具有页缓冲器的半导体存储器装置在审
| 申请号： | 202110200106.6 | 申请日： | 2021-02-23 |
| 公开（公告）号： | CN113823337A | 公开（公告）日： | 2021-12-21 |
| 发明（设计）人： | 林星默;崔亨进 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | G11C7/18 | 分类号： | G11C7/18;G11C7/10 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 刘久亮;黄纶伟 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本申请公开了位线控制器、页缓冲器和具有页缓冲器的半导体存储器装置。本技术涉及一种页缓冲器以及具有该页缓冲器的半导体存储器装置。该页缓冲器包括：位线控制器，其连接到位线并且被配置为在感测操作期间基于位线的电流电平来控制感测节点的电位电平；以及主锁存器，其被配置为基于感测节点的电位来锁存数据。位线控制器包括连接在位线和公共感测节点之间的第一晶体管以及连接在电源电压端子和公共感测节点之间的第二晶体管，并且第二晶体管是PMOS晶体管。 | ||
| 搜索关键词： | 控制器 缓冲器 具有 半导体 存储器 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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