[发明专利]开关元件、半导体存储器装置及其制造方法在审
| 申请号： | 202110189253.8 | 申请日： | 2021-02-19 |
| 公开（公告）号： | CN113345956A | 公开（公告）日： | 2021-09-03 |
| 发明（设计）人： | 李东旭;梁海昌 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L21/28;H01L27/11568;H01L27/11578;H01L27/1159;H01L27/11597 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 刘久亮;黄纶伟 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本申请涉及开关元件、半导体存储器装置及其制造方法。一种开关元件包括：第一栅极介电层，其形成在基板上方；第二栅极介电层，其形成在第一栅极介电层上方以与第一栅极介电层的一部分交叠，并且包括铁电材料；第二栅电极，其形成在第二栅极介电层上方；以及第一栅电极，其位于第一栅极介电层和第二栅极介电层之间，并且被配置为控制第二栅极介电层选择性地具有负电容。 | ||
| 搜索关键词： | 开关 元件 半导体 存储器 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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