[发明专利]半导体存储装置

摘要

实施方式提供一种能够良好地制造的半导体存储装置。实施方式的半导体存储装置具备第1区域、第2区域及第3区域。第1区域具备：多个第1配线，在第1方向上延伸且在第2方向上排列；多个第2配线，在第2方向上延伸，在第1方向上排列且分别与多个第1配线交叉；及多个存储单元，设置在多个第1配线与多个第2配线的交叉部分。第2区域具备在第3方向上延伸的触点。第3区域具备：多个第1虚设配线，在第1方向上延伸且在第2方向上排列；及多个第2虚设配线，在第2方向上延伸，在第1方向上排列，且分别与多个第1虚设配线交叉。多个第2虚设配线中的第1方向上最靠近第1区域或第2区域的第2虚设配线的在第1方向的宽度为第1方向上第二靠近第1区域或第2区域的第2虚设配线的在第1方向的宽度以下。