[发明专利]半导体存储装置

权利要求书

1.一种半导体存储装置，具备：

第1区域，包括多个存储单元；

第2区域，包括触点；及

第3区域，与所述第1区域及所述第2区域中的至少一个区域相邻；且

所述第1区域具备：

多个第1配线，在第1方向上延伸，且在与所述第1方向交叉的第2方向上排列；

多个第2配线，在所述第2方向上延伸，在所述第1方向上排列，且分别与所述多个第1配线交叉；及

所述多个存储单元，设置在所述多个第1配线与所述多个第2配线的交叉部分；

所述第2区域具备：

所述触点，在与所述第1方向及所述第2方向交叉的第3方向上延伸；

所述第3区域具备：

多个第1虚设配线，在所述第1方向上延伸，且在所述第2方向上排列；及

多个第2虚设配线，在所述第2方向上延伸，在所述第1方向上排列，且分别与所述多个第1虚设配线交叉；

所述多个第2虚设配线中的、

所述第1方向上最靠近所述第1区域或所述第2区域的所述第2虚设配线的在所述第1方向的宽度为所述第1方向上第二靠近所述第1区域或所述第2区域的所述第2虚设配线的在所述第1方向的宽度以下。

2.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中

所述多个第2虚设配线中的、

所述第1方向上最靠近所述第1区域或所述第2区域的所述第2虚设配线的在所述第1方向的宽度小于所述第1方向上第二靠近所述第1区域或所述第2区域的所述第2虚设配线的在所述第1方向的宽度。

3.根据权利要求1或2所述的半导体存储装置，其具备：

多个虚设存储单元，设置在所述多个第1虚设配线与所述多个第2虚设配线的交叉部分。

4.根据权利要求3所述的半导体存储装置，其

具备控制所述多个存储单元的控制电路；且

所述控制电路经由所述多个第1配线及所述多个第2配线连接于所述多个存储单元，

所述控制电路未连接于所述多个虚设存储单元。

5.一种半导体存储装置，具备：

第1区域，包括存储单元；

第2区域，包括触点；及

第3区域，与所述第1区域及所述第2区域中的至少一个区域相邻；

所述第1区域具备：

第1配线，在第1方向上延伸；

第2配线，在与所述第1方向交叉的第2方向上延伸，且与所述第1配线交叉；及

所述存储单元，设置在所述第1配线与所述第2配线的交叉部分；

所述第2区域具备：

所述触点，在与所述第1方向及所述第2方向交叉的第3方向上延伸；

所述第3区域具备：

第1虚设配线，与所述第1配线或所述触点在所述第2方向上排列，且在所述第1方向上延伸；

第2虚设配线，在所述第2方向上延伸，且与所述第1虚设配线交叉；

第3虚设配线，在所述第1方向上延伸，且与所述第2虚设配线交叉；及

第4虚设配线，与所述第2配线或所述触点在所述第1方向上排列，在所述第2方向上延伸，且与所述第3虚设配线交叉。

6.根据权利要求5所述的半导体存储装置，其具备：

第5虚设配线，设置在所述第1虚设配线与所述第3虚设配线之间，在所述第1方向上延伸；

所述第5虚设配线具备：

第1部分，与所述第1区域或所述第2区域在所述第2方向上相邻；及

第2部分，与所述第2虚设配线交叉；

所述第1部分的所述第2方向的宽度小于所述第2部分的所述第2方向的宽度。