[发明专利]三维存储器及其制作方法在审
| 申请号： | 202110090323.4 | 申请日： | 2021-01-22 |
| 公开（公告）号： | CN112768468A | 公开（公告）日： | 2021-05-07 |
| 发明（设计）人： | 蔡薇;蒲月强;鲍琨;赵治国;罗来青;程纪伟 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L27/11582 | 分类号： | H01L27/11582;H01L27/11568;H01L27/11573 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 骆希聪 |
| 地址： | 430079 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种三维存储器的制作方法，包括以下步骤：提供半导体结构，所述半导体结构包括衬底；所述半导体结构包括核心区和虚拟区；所述半导体结构还包括覆盖所述核心区和所述虚拟区的第一绝缘层；在所述第一绝缘层上形成伪底部选择栅极层；去除所述虚拟区的伪底部选择栅极层，保留所述核心区的伪底部选择栅极层；在所述衬底的所述虚拟区形成第二绝缘层；以及在半导体结构上表面形成堆叠层。 | ||
| 搜索关键词： | 三维 存储器 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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