[发明专利]使用半导体发光元件的显示装置及其制造方法有效
申请号: | 202110086963.8 | 申请日: | 2021-01-22 |
公开(公告)号: | CN113380848B | 公开(公告)日: | 2023-08-04 |
发明(设计)人: | 金修顕;崔元硕;朴成敏 | 申请(专利权)人: | LG电子株式会社 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L25/075;H01L33/62;H01L33/00 |
代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 崔炳哲 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及使用半导体发光元件的显示装置及其制造方法,尤其,涉及一种使用几μm至几十μm尺寸的半导体发光元件的显示装置及其制造方法。本发明提供一种显示装置,其特征在于,包括:基底部;复数个晶体管,配置在所述基底部上;复数个半导体发光元件,配置在所述基底部上;复数个配线电极,配置在所述基底部上,与复数个所述晶体管和所述半导体发光元件电连接;分隔壁,配置在所述基底部上,且形成为覆盖复数个所述晶体管;以及连接电极,连接复数个所述晶体管中的一部分晶体管和复数个所述配线电极中的一部分配线电极,所述连接电极形成为贯通所述分隔壁。 | ||
搜索关键词: | 使用 半导体 发光 元件 显示装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于LG电子株式会社,未经LG电子株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202110086963.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:包含调色剂添加剂配制物的调色剂
- 下一篇:超低温制冷机及超低温系统
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的