[发明专利]半导体装置及其制造方法在审

专利信息
申请号: 202110059849.6 申请日: 2021-01-18
公开(公告)号: CN113903731A 公开(公告)日: 2022-01-07
发明(设计)人: 丹羽惠一 申请(专利权)人: 铠侠股份有限公司
主分类号: H01L25/18 分类号: H01L25/18;H01L23/31;H01L21/56
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 72002 代理人: 牛玉婷
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 本实施方式的半导体装置具备布线基板、第一半导体芯片、树脂层、以及第二半导体芯片。第一半导体芯片具有第一面和作为该第一面的相反侧的第二面,在第一面侧经由连接凸块而与布线基板连接。树脂层被设为在第一半导体芯片与布线基板之间覆盖连接凸块,在第一半导体芯片的周围,上表面与第一半导体芯片的第二面大致平行。第二半导体芯片具有第三面和作为该第三面的相反侧的第四面,在第三面侧经由粘合层而与第一半导体芯片的第二面以及树脂层的上表面粘合。从所述第二半导体芯片的第四面的上方观察时,树脂层的上表面比第二半导体芯片的外缘的至少一部分向外侧突出。
搜索关键词: 半导体 装置 及其 制造 方法
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于铠侠股份有限公司,未经铠侠股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202110059849.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top