[发明专利]半导体装置及其制造方法在审
申请号: | 202110059849.6 | 申请日: | 2021-01-18 |
公开(公告)号: | CN113903731A | 公开(公告)日: | 2022-01-07 |
发明(设计)人: | 丹羽惠一 | 申请(专利权)人: | 铠侠股份有限公司 |
主分类号: | H01L25/18 | 分类号: | H01L25/18;H01L23/31;H01L21/56 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 牛玉婷 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本实施方式的半导体装置具备布线基板、第一半导体芯片、树脂层、以及第二半导体芯片。第一半导体芯片具有第一面和作为该第一面的相反侧的第二面,在第一面侧经由连接凸块而与布线基板连接。树脂层被设为在第一半导体芯片与布线基板之间覆盖连接凸块,在第一半导体芯片的周围,上表面与第一半导体芯片的第二面大致平行。第二半导体芯片具有第三面和作为该第三面的相反侧的第四面,在第三面侧经由粘合层而与第一半导体芯片的第二面以及树脂层的上表面粘合。从所述第二半导体芯片的第四面的上方观察时,树脂层的上表面比第二半导体芯片的外缘的至少一部分向外侧突出。 | ||
搜索关键词: | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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