[发明专利]半导体结构的制造方法及半导体结构有效
| 申请号： | 202110050700.1 | 申请日： | 2021-01-14 |
| 公开（公告）号： | CN112864098B | 公开（公告）日： | 2023-06-30 |
| 发明（设计）人： | 平尔萱;白杰;黄娟娟 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H10B12/00 | 分类号： | H10B12/00 |
| 代理公司： | 上海晨皓知识产权代理事务所(普通合伙) 31260 | 代理人： | 成丽杰 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明实施例提供一种半导体结构的制造方法及半导体结构，半导体的制造方法包括：提供基底；在所述基底上形成层叠设置的电接触层、底部阻挡层和导电层；所述导电层的材料包括钼。本发明实施例能够减小半导体结构的电阻，提高半导体结构的导电性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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