[发明专利]半导体结构的制造方法及半导体结构

权利要求书

1.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，包括：

提供基底；

在所述基底上形成层叠设置的电接触层、底部阻挡层和导电层；

所述导电层为多层结构，所述导电层包括与所述底部阻挡层相接触的接触区和位于所述接触区上的连接区；所述接触区的材料为钼，所述连接区的材料为钨、钽或钛；

所述底部阻挡层在垂直于所述基底顶面的方向上的厚度为1nm~5nm；

形成所述电接触层、所述导电层和所述底部阻挡层的方法包括：

在所述基底上形成初始电接触层，在所述初始电接触层上形成初始底部阻挡层；

在所述初始底部阻挡层上形成初始导电层；其中，形成所述初始导电层包括形成初始接触区域初始连接区，在垂直于所述基底的方向上，所述初始接触区与所述初始连接区的厚度比为在2:1~3:1；

对所述初始电接触层、所述初始底部阻挡层和所述初始导电层进行图形化处理，形成所述电接触层、所述导电层和所述底部阻挡层；其中，对所述初始导电层进行图形化处理包括对所述初始接触区和所述初始连接区进行图形化处理；

采用远程等离子体氮化工艺在所述导电层的侧壁形成侧壁阻挡层。

2.根据权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，在同一刻蚀条件下，所述连接区的刻蚀速率大于所述接触区的刻蚀速率。

3.根据权利要求2所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，通过干法刻蚀的方法对所述初始导电层进行图形化处理，在刻蚀所述初始导电层的过程中，刻蚀气体为氯气，刻蚀气体的流量为10sccm~40sccm。

4.根据权利要求2所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，形成所述初始导电层后还包括步骤：在所述初始导电层上形成初始顶部阻挡层；对所述初始顶部阻挡层进行图形化处理，形成顶部阻挡层。

5.根据权利要求4所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，在所述初始导电层上形成所述初始顶部阻挡层的步骤包括：采用远程等离子体氮化工艺对所述初始导电层进行处理，以形成所述初始顶部阻挡层。

6.一种半导体结构，其特征在于，包括：

基底;

位于所述基底上的电接触层；

位于所述电接触层上的底部阻挡层；所述底部阻挡层在垂直于所述基底顶面的方向上的厚度为1nm~5nm；

位于所述底部阻挡层上的导电层；

所述导电层为多层结构，所述导电层还包括与所述底部阻挡层相接触的接触区和位于所述接触区上的连接区；所述接触区的材料为钼，所述连接区的材料为钨、钽或钛；在垂直于所述基底顶面的方向上，所述接触区与所述连接区的厚度比在2:1~3:1范围内；

位于所述导电层的侧壁的侧壁阻挡层。

7.根据权利要求6所述的半导体结构，其特征在于，在同一刻蚀条件下，所述连接区的刻蚀速率大于所述接触区的刻蚀速率。

8.根据权利要求6所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括：位于所述导电层上的顶部阻挡层。

9.根据权利要求8所述的半导体结构，其特征在于，在垂直于所述基底顶面的方向上，所述底部阻挡层的厚度大于所述顶部阻挡层的厚度。

10.根据权利要求9所述的半导体结构，其特征在于，所述顶部阻挡层在垂直于所述基底顶面的方向上的厚度为0.1nm~1nm。

11.根据权利要求6所述的半导体结构，其特征在于，在平行于所述基底顶面的方向上，所述侧壁阻挡层的厚度为0.1nm~1nm。

12.根据权利要求6所述的半导体结构，其特征在于，所述导电层在垂直于所述基底顶面的方向上的厚度为20nm~40nm。

13.根据权利要求6所述的半导体结构，其特征在于，所述底部阻挡层的材料包括氮化钼。