[发明专利]半导体装置的制造方法与蚀刻溶液在审
| 申请号： | 202110048003.2 | 申请日： | 2021-01-14 |
| 公开（公告）号： | CN113140509A | 公开（公告）日： | 2021-07-20 |
| 发明（设计）人： | 连建洲;林群能;陈玠玮;江子昂;叶明熙 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8234 | 分类号： | H01L21/8234;C09K13/00;C09K13/04;C09K13/06 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 韩旭;黄艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开涉及半导体装置的制造方法与蚀刻溶液。在图案化介电层(如高介电常数的栅极介电层)上的金属层(如p型金属功函数层)的湿蚀刻工艺中，可采用抑制剂以增加湿蚀刻溶液对金属层与对介电层之间的选择性。这些抑制剂可包括磷酸、羧酸、胺基酸、或羟基。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 蚀刻 溶液 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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