[发明专利]半导体装置的制造方法与蚀刻溶液

权利要求书

1.一种半导体装置的制造方法，包括：

形成一p型金属功函数层于一介电层上；以及

施加一湿蚀刻溶液至该p型金属功函数层，以移除该p型金属功函数层的一部分，且该湿蚀刻溶液包括：

一金属蚀刻剂；

一抑制剂，用于该介电层；以及

一溶剂。

2.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中该介电层为氧化铪。

3.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中该抑制剂为磷酸。

4.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中该抑制剂为羧酸。

5.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中该抑制剂为胺基酸。

6.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中该抑制剂包括羟基。

7.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，还包括在露出该介电层之后，形成一保护层于该介电层的露出表面上。

8.一种半导体装置的制造方法，包括：

沉积一第一p型功函数层于一高介电常数的介电层上；以及

采用一湿蚀刻溶液蚀刻该第一p型功函数层，以露出该高介电常数的介电层的第一部分，其中该高介电常数的介电层与该湿蚀刻溶液反应以形成一保护层于该高介电常数的介电层上。

9.一种蚀刻溶液，包括：

一溶剂；

一第一金属蚀刻剂；

一氧化剂；以及

一抑制剂，其包含磷酸、羧酸、或胺基酸的一或多者。

10.如权利要求9所述的蚀刻溶液，其中该蚀刻溶液对氮化钛与对氧化铪之间的选择性为至少100:1。