[发明专利]半导体装置的制造方法与蚀刻溶液在审
| 申请号： | 202110048003.2 | 申请日： | 2021-01-14 |
| 公开（公告）号： | CN113140509A | 公开（公告）日： | 2021-07-20 |
| 发明（设计）人： | 连建洲;林群能;陈玠玮;江子昂;叶明熙 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8234 | 分类号： | H01L21/8234;C09K13/00;C09K13/04;C09K13/06 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 韩旭;黄艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 蚀刻 溶液 | ||
本公开涉及半导体装置的制造方法与蚀刻溶液。在图案化介电层(如高介电常数的栅极介电层)上的金属层(如p型金属功函数层)的湿蚀刻工艺中，可采用抑制剂以增加湿蚀刻溶液对金属层与对介电层之间的选择性。这些抑制剂可包括磷酸、羧酸、胺基酸、或羟基。
技术领域
本发明实施例涉及半导体装置的制造方法，更特别涉及采用的蚀刻溶液组成。
背景技术
半导体装置用于多种电子应用，比如个人电脑、手机、数码相机、与其他电子设备。半导体装置的制作方法通常为按序沉积绝缘或介电层、导电层、与半导体层的材料于半导体基板上，接着采用微影图案化多种材料层已形成电路构件与单元于半导体基板上。
半导体产业持续减少最小结构尺寸以持续改善多种电子构件(如晶体管、二极管、电阻、电容、或类似物)的集成密度，其可整合更多构件至给定面积中。然而随着最小结构尺寸缩小，将产生需解决的额外问题。
发明内容
在一实施例中，半导体装置的制造方法包括：形成p型金属功函数层于高介电常数的介电层上；以及施加湿蚀刻溶液至p型金属功函数层，以移除p型金属功函数层的一部分，且湿蚀刻溶液包括：金属蚀刻剂；抑制剂，用于高介电常数的介电层；以及溶剂。
在另一实施例中，半导体装置的制造方法包括：沉积第一p型功函数层于高介电常数的介电层上；以及采用湿蚀刻溶液蚀刻第一p型功函数层，以露出高介电常数的介电层的第一部分，其中高介电常数的介电层与湿蚀刻溶液反应以形成保护层于高介电常数的介电层上。
在又一实施例中，蚀刻溶液包括：溶剂；第一金属蚀刻剂；氧化剂；以及抑制剂，其包含磷酸、羧酸、或胺基酸的一或多者。
附图说明
图1是一些实施例中，形成半导体鳍状物的立体图。
图2A及图2B是一些实施例中，形成高介电常数的介电层与第一p型金属功函数层的示意图。
图3A及图3B是一些实施例中，图案化抵抗反射层的示意图。
图4A及图4B是一些实施例中，蚀刻工艺的示意图。
图5A及图5B是一些实施例中，形成栅极结构的示意图。
图6A及图6B是一些实施例中，形成盖层的示意图。
附图标记说明：
100：半导体装置
101：基板
103：第一沟槽
105：第一隔离区
107：鳍状物
109：虚置栅极介电层
111：虚置栅极
113：第一间隔物
115：堆叠
201：层间介电层
203：第一介电材料
205：第一p型金属功函数层
207：第一区
209：第二区
211：第三区
213：第四区
215：第一光刻胶
217：底抗反射涂层
219：中间遮罩层
221：顶光敏层
401：湿蚀刻溶液
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司，未经台湾积体电路制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202110048003.2/2.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
