[发明专利]半导体装置在审

专利信息
申请号: 202110031017.3 申请日: 2021-01-11
公开(公告)号: CN113140528A 公开(公告)日: 2021-07-20
发明(设计)人: 多田和弘;石井隆一 申请(专利权)人: 三菱电机株式会社
主分类号: H01L23/367 分类号: H01L23/367;H01L23/373;H01L23/46;H01L25/18
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人: 陈力奕;宋俊寅
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 提供一种即使有温度变化也不会产生问题的半导体装置。构成为在树脂密封体(9)的内部埋设搭载有半导体元件(1a、1b)的散热层(3)、经由树脂绝缘层(6)而固定到散热层(3)的铜板(7)的一部分、通过接合材料(5b)与散热层(3)相接合的第一引线框(4a)的一部分、以及通过接合材料(5a1、5ab)与半导体元件(1a、1b)相接合的第二引线框(4b)的一部分,通过焊接部(10)将从铜板(7)的树脂密封体(9)露出的部分与冷却器(11)相接合,将铜板(7)的厚度尺寸设定为0.3[mm]以上且不超过所述散热层(3)的厚度尺寸的值。
搜索关键词: 半导体 装置
【主权项】:
暂无信息
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