[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 202110030120.6 | 申请日： | 2021-01-11 |
| 公开（公告）号： | CN114765217A | 公开（公告）日： | 2022-07-19 |
| 发明（设计）人： | 杨柏宇 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L27/088 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种半导体装置，其包括基底以及设置于基底上的第一晶体管。第一晶体管包括第一半导体通道结构以及两个第一源极/漏极结构。第一半导体通道结构包括多个第一水平部分以及一第一垂直部分。多个第一水平部分于垂直方向上堆叠设置且彼此互相分离，且各第一水平部分沿水平方向延伸。第一垂直部分沿垂直方向上延伸且与多个第一水平部分相连接。第一垂直部分的材料组成与各第一水平部分的材料组成相同。两个第一源极/漏极结构分别设置于各第一水平部分于水平方向上的两相对侧，且两个第一源极/漏极结构与多个第一水平部分相连接。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
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