[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，包括：

基底；以及

第一晶体管，设置于该基底上，该第一晶体管包括：

第一半导体通道结构，其中该第一半导体通道结构包括：

多个第一水平部分，在垂直方向上堆叠设置且彼此互相分离，其中各该第一水平部分沿水平方向延伸；以及

第一垂直部分，沿该垂直方向上延伸且与该多个第一水平部分相连接，其中该第一垂直部分的材料组成与各该第一水平部分的材料组成相同；以及

两个第一源极/漏极结构分别设置于各该第一水平部分于该水平方向上的两相对侧，其中该两个第一源极/漏极结构与该多个第一水平部分相连接。

2.如权利要求1所述的半导体装置，其中该第一垂直部分直接与各该第一水平部分相连。

3.如权利要求1所述的半导体装置，其中该第一垂直部分于该垂直方向上贯穿各该第一水平部分。

4.如权利要求1所述的半导体装置，其中各该第一水平部分的至少一部分设置于该第一垂直部分在与该垂直方向正交的一方向上的两相对侧。

5.如权利要求1所述的半导体装置，其中该第一晶体管还包括第一栅极结构，围绕该第一半导体通道结构的该多个第一水平部分与该第一垂直部分。

6.如权利要求5所述的半导体装置，其中该第一栅极结构的一部分在该垂直方向上设置于该第一半导体通道结构的该第一垂直部分与该基底之间。

7.如权利要求1所述的半导体装置，还包括：

第二晶体管，设置于该基底上，该第二晶体管包括：

第二半导体通道结构，其中该第二半导体通道结构包括：

多个第二水平部分，在该垂直方向上堆叠设置且彼此互相分离，其中各该第二水平部分沿该水平方向延伸；以及

两个第二源极/漏极结构，分别设置于各该第二水平部分于该水平方向上的两相对侧，其中该两个第二源极/漏极结构与该多个第二水平部分相连接。

8.如权利要求7所述的半导体装置，其中该第二半导体通道结构的各该第二水平部分的材料组成不同于该第一半导体通道结构的各该第一水平部分的该材料组成。

9.如权利要求7所述的半导体装置，其中各该第二半导体通道结构的导电型态与该第一半导体通道结构的导电型态互补。

10.如权利要求7所述的半导体装置，其中该第一晶体管还包括第一栅极结构，围绕该第一半导体通道结构的该多个第一水平部分与该第一垂直部分，且该第二晶体管还包括第二栅极围绕该第二半导体通道结构的该多个第二水平部分。

11.如权利要求10所述的半导体装置，其中该第二栅极结构与该第一栅极结构互相分离。

12.如权利要求10所述的半导体装置，其中该第二栅极结构与该第一栅极结构直接相连。

13.如权利要求10所述的半导体装置，其中该第二栅极结构于该垂直方向上设置于该第一栅极结构与该基底之间，且该第二半导体通道结构于该垂直方向上设置于该第一半导体通道结构与该基底之间。

14.如权利要求10所述的半导体装置，其中该第一栅极结构于该垂直方向上设置于该第二栅极结构与该基底之间，且该第一半导体通道结构于该垂直方向上设置于该第二半导体通道结构与该基底之间。

15.如权利要求10所述的半导体装置，其中该第二半导体通道结构还包括：

第二垂直部分，沿该垂直方向上延伸且与该多个第二水平部分相连接，其中该第二垂直部分的材料组成与各该第二水平部分的材料组成相同，且该第二栅极结构还围绕该第二半导体通道结构的该第二垂直部分。