[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 202110023207.0 | 申请日： | 2021-01-08 |
| 公开（公告）号： | CN114188411A | 公开（公告）日： | 2022-03-15 |
| 发明（设计）人： | 吉冈启;矶部康裕;洪洪;小林仁;大野哲也;杉山亨 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L27/085;H01L23/528 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 牛玉婷 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供输出电容小的半导体装置，从下到上具备：基板；第一氮化物半导体层；带隙更大的第二氮化物半导体层；第一源极电极；第二源极电极，还具备：设于第一源极电极与第二源极电极间的第二氮化物半导体层之上的第一栅极电极；设于第二源极电极与第一栅极电极间的第二氮化物半导体层之上的第二栅极电极；漏极电极，设于第一栅极电极与第二栅极电极间的第二氮化物半导体层之上，具有第一布线、设于第二栅极电极与第一布线间的第二布线、设于第一布线与第二布线间的下方的第二氮化物半导体层的元件分离区域、和设于第一布线、第二布线以及元件分离区域之上并与第一布线以及第二布线电连接的第四布线；以及设于元件分离区域与第四布线间的绝缘膜。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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