[发明专利]半导体装置

说明书

提供输出电容小的半导体装置，从下到上具备：基板；第一氮化物半导体层；带隙更大的第二氮化物半导体层；第一源极电极；第二源极电极，还具备：设于第一源极电极与第二源极电极间的第二氮化物半导体层之上的第一栅极电极；设于第二源极电极与第一栅极电极间的第二氮化物半导体层之上的第二栅极电极；漏极电极，设于第一栅极电极与第二栅极电极间的第二氮化物半导体层之上，具有第一布线、设于第二栅极电极与第一布线间的第二布线、设于第一布线与第二布线间的下方的第二氮化物半导体层的元件分离区域、和设于第一布线、第二布线以及元件分离区域之上并与第一布线以及第二布线电连接的第四布线；以及设于元件分离区域与第四布线间的绝缘膜。

相关申请

本申请享受以日本专利申请2020－155011号(申请日：2020年9月15日)为基础申请的优先权。本申请通过参照该基础申请而包含基础申请的所有内容。

技术领域

本发明的实施方式涉及半导体装置。

背景技术

作为新一代的功率半导体器件用的材料，III族氮化物例如GaN(氮化镓)类半导体正备受期待。GaN类半导体与Si(硅)相比具备更大的带隙。因此，GaN类半导体器件与Si(硅)半导体器件比较，能够实现小型且高耐压的功率半导体器件。

发明内容

本发明的实施方式提供输出电容较小的半导体装置。

实施方式的半导体装置具备：基板；设于基板上的第一氮化物半导体层；设于第一氮化物半导体层之上且带隙比第一氮化物半导体层更大的第二氮化物半导体层；设于第二氮化物半导体层之上的第一源极电极；设于第二氮化物半导体层之上的第二源极电极；设于第一源极电极与第二源极电极之间的、第二氮化物半导体层之上的第一栅极电极；设于第二源极电极与第一栅极电极之间的、第二氮化物半导体层之上的第二栅极电极；漏极电极，设于第一栅极电极与第二栅极电极之间的第二氮化物半导体层之上，具有第一布线、设于第二栅极电极与第一布线之间的第二布线、设于第一布线与第二布线之间的下方的第二氮化物半导体层的元件分离区域、和设于第一布线、第二布线以及元件分离区域之上并与第一布线以及第二布线电连接的第四布线；以及设于元件分离区域与第四布线之间的绝缘膜。

附图说明

图1是第一实施方式的半导体装置的示意俯视图。

图2的(a)、(b)是第一实施方式的半导体装置的示意图。

图3是第一实施方式的半导体装置的示意俯视图。

图4的(a)、(b)是第一实施方式的半导体装置的示意图。

图5的(a)～(d)是第一实施方式的其他方式的半导体装置的示意剖面图。

图6是成为第一实施方式的半导体装置的比较方式的半导体装置的示意剖面图。

图7是第二实施方式的半导体装置的示意俯视图。

图8的(a)、(b)是第二实施方式的半导体装置的示意剖面图。

图9是第三实施方式的半导体装置的示意俯视图。

具体实施方式

以下，参照附图对本发明的实施方式进行说明。另外，在以下的说明中，有对同一或者类似的部件标注相同的附图标记的情况。另外，有对说明过一次的部件等适当省略其说明的情况。

在本说明书中，为了表示部件等的位置关系，将附图的上方向记述为“上”，将附图的下方向记述为“下”。在本说明书中，“上”、“下”的概念并不一定是表示与重力朝向的关系的词语。

(第一实施方式)