[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，具备：

基板；

设于所述基板上的第一氮化物半导体层；

第二氮化物半导体层，设于所述第一氮化物半导体层之上，带隙比所述第一氮化物半导体层大；

设于所述第二氮化物半导体层之上的第一源极电极；

设于所述第二氮化物半导体层之上的第二源极电极；

第一栅极电极，设于所述第一源极电极与所述第二源极电极之间的所述第二氮化物半导体层之上；

第二栅极电极，设于所述第二源极电极与所述第一栅极电极之间的所述第二氮化物半导体层之上；

漏极电极，设于所述第一栅极电极与所述第二栅极电极之间的所述第二氮化物半导体层之上，并具有：

第一布线；

第二布线，设于所述第二栅极电极与所述第一布线之间；

元件分离区域，设于所述第一布线与所述第二布线之间的下方的所述第二氮化物半导体层；和

第四布线，设于所述第一布线、所述第二布线以及所述元件分离区域之上，并与所述第一布线以及所述第二布线电连接；以及

绝缘膜，设于所述元件分离区域与所述第四布线之间。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，还具备：

第五布线，设于所述第一布线与所述第四布线之间，将所述第一布线与所述第四布线电连接；以及

第六布线，设于所述第二布线与所述第四布线之间，将所述第二布线与所述第四布线电连接。

3.一种半导体装置，具备：

基板；

设于所述基板上的第一氮化物半导体层；

第二氮化物半导体层，设于所述第一氮化物半导体层之上，带隙比所述第一氮化物半导体层大；

第一源极电极，设于所述第二氮化物半导体层之上，沿与所述基板的基板面平行的第一方向延伸；

第二源极电极，设于所述第二氮化物半导体层之上，沿所述第一方向延伸；

第一栅极电极，设于所述第一源极电极与所述第二源极电极之间的所述第二氮化物半导体层之上，沿所述第一方向延伸；

第二栅极电极，设于所述第二源极电极与所述第一栅极电极之间的所述第二氮化物半导体层之上，沿所述第一方向延伸；

漏极电极，设于所述第一栅极电极与所述第二栅极电极之间的所述第二氮化物半导体层之上，并具有：

沿所述第一方向延伸的第一布线；

第二布线，设于所述第二栅极电极与所述第一布线之间，沿所述第一方向延伸；

多个元件分离区域，沿所述第一方向分别分离地设置在所述第一布线与所述第二布线之间的下方的所述第二氮化物半导体层；

多个第三布线，设于所述多个元件分离区域之间的所述第二氮化物半导体层之上，将所述第一布线与所述第二布线电连接；以及

第四布线，设于所述第一布线、所述第二布线、所述多个元件分离区域以及所述多个第三布线之上；以及

绝缘膜，设于所述多个元件分离区域与所述第四布线之间。

4.根据权利要求3所述的半导体装置，

所述多个第三布线的高度比所述第一布线的高度以及所述第二布线的高度高，所述多个第三布线电连接于所述第四布线。