[发明专利]半导体模块和半导体模块的制造方法在审
| 申请号： | 202110012028.7 | 申请日： | 2021-01-06 |
| 公开（公告）号： | CN113224022A | 公开（公告）日： | 2021-08-06 |
| 发明（设计）人： | 加藤辽一;池田良成;西泽龙男;望月英司 | 申请（专利权）人： | 富士电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/488 | 分类号： | H01L23/488;H01L23/367;H01L23/473;H01L29/417;H01L29/739;H01L21/48;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明提供半导体模块和半导体模块的制造方法。利用简单的结构降低凸块伴随热应力产生的变形而提高装置的可靠性。半导体模块(1)包括：层叠基板(2)，其是在绝缘板(20)的上表面配置有电路图案(22)并在绝缘板的下表面配置有散热板(21)而成的；以及半导体元件(3)，其在上表面配置有集电极(30)，在下表面配置有发射极电极(32)和栅电极(31)，发射极电极和栅电极经由凸块(B)与电路图案的上表面接合。凸块由金属烧结材料形成为中间部分比接合部分凹陷的形状。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 模块 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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