[发明专利]半导体结构及其形成方法在审
| 申请号： | 202110009257.3 | 申请日： | 2021-01-05 |
| 公开（公告）号： | CN114725210A | 公开（公告）日： | 2022-07-08 |
| 发明（设计）人： | 王文博 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L21/331;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京市一法律师事务所 11654 | 代理人： | 刘荣娟 |
| 地址： | 100176 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本申请提供半导体结构及其形成方法，所述方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括第一区域和第二区域以及隔离所述第一区域和所述第二区域的隔离结构，所述第一区域和所述第二区域的半导体衬底中分别形成有第一阱区和第二阱区；分别在所述第一区域和所述第二区域的半导体衬底上形成预先掺杂的第一栅极层和第二栅极层。本申请所述的半导体结构的形成方法，使用原位掺杂工艺来形成预先掺杂的栅极层，可以避免栅极层被大量粒子注入导致多晶穿透效应，杂质粒子进入沟道而影响器件性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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