[发明专利]半导体结构及其形成方法在审
| 申请号： | 202110009257.3 | 申请日： | 2021-01-05 |
| 公开（公告）号： | CN114725210A | 公开（公告）日： | 2022-07-08 |
| 发明（设计）人： | 王文博 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L21/331;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京市一法律师事务所 11654 | 代理人： | 刘荣娟 |
| 地址： | 100176 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：
提供半导体衬底，所述半导体衬底包括第一区域和第二区域以及隔离所述第一区域和所述第二区域的隔离结构，所述第一区域和所述第二区域的半导体衬底中分别形成有第一阱区和第二阱区；
分别在所述第一区域和所述第二区域的半导体衬底上形成预先掺杂的第一栅极层和第二栅极层；
分别在所述第一栅极层和所述第二栅极层两侧的半导体衬底中形成轻掺杂源极和轻掺杂漏极；
分别在所述第一栅极层和所述第二栅极层两侧形成侧墙；
分别在所述第一栅极层和所述第二栅极层两侧的半导体衬底中形成重掺杂源极和重掺杂漏极；
在所述半导体衬底上形成覆盖所述半导体衬底和所述第一栅极层和第二栅极层的层间介质层；
在所述层间介质层中形成贯穿所述层间介质层且电连接所述第一栅极层和第二栅极层的接触结构。
2.如权利要求1所述半导体结构的形成方法，其特征在于，分别在所述第一区域和所述第二区域的半导体衬底上形成预先掺杂的第一栅极层和第二栅极层的方法包括：
在所述半导体衬底上依次形成第一栅氧层和预先掺杂的第一栅极层；
去除位于第二区域上的所述第一栅氧层和预先掺杂的第一栅极层；
在所述第二区域上和所述预先掺杂的第一栅极层上依次形成第二栅氧层和预先掺杂的第二栅极层；
去除高于所述预先掺杂的第一栅极层的第二栅氧层和预先掺杂的第二栅极层；
去除不在沟道上方的第一栅氧层和预先掺杂的第一栅极层以及第二栅氧层和预先掺杂的第二栅极层。
3.如权利要求2所述半导体结构的形成方法，其特征在于，去除位于第二区域上的所述第一栅氧层和预先掺杂的第一栅极层的方法包括：
在所述第一区域上的第一栅极层表面形成光阻层；
刻蚀去除位于第二区域上的第一栅氧层和第一栅极层；
去除所述光阻层。
4.如权利要求2所述半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述第一栅氧层的方法包括热氧化工艺，形成所述预先掺杂的第一栅极层的方法包括原位掺杂工艺。
5.如权利要求2所述半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述第二栅氧层的方法包括热氧化工艺，形成所述预先掺杂的第二栅极层的方法包括原位掺杂工艺。
6.如权利要求1所述半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一栅极层和所述第一阱区的掺杂类型相反，所述第二栅极层和所述第二阱区的掺杂类型相反。
7.如权利要求1所述半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一栅极层的掺杂浓度为1×1019-1×1021atom/cm3，所述第二栅极层的掺杂浓度为1×1019-1×1021atom/cm3。
8.如权利要求1所述半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一栅极层的掺杂粒子包括磷、硼、砷、铟、锑，所述第二栅极层的掺杂粒子包括磷、硼、砷、铟、锑。
9.如权利要求1所述半导体结构的形成方法，其特征在于，所述轻掺杂源极和轻掺杂漏极的掺杂类型相反，所述重掺杂源极和重掺杂漏极的掺杂类型相反。
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