[发明专利]一种多层薄膜制备方法及多层薄膜在审
| 申请号： | 202080098589.7 | 申请日： | 2020-03-17 |
| 公开（公告）号： | CN115298827A | 公开（公告）日： | 2022-11-04 |
| 发明（设计）人： | 秦健鹰;杨喜超;邢彦敏;张岩;魏侠 | 申请（专利权）人： | 华为技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/1159 | 分类号： | H01L27/1159;H01G4/33;B32B18/00 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人： | 刘金玲 |
| 地址： | 518129 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种多层薄膜制备方法及多层薄膜，其中方法主要包括：制备第一材料层，进而在第一材料层的表面层叠设置多个第二材料层。本申请实施例中，每个第二材料层包括第二衬底，第二衬底由铁电单晶材料构成。采用上述方法，可以在多层薄膜中制备多个由铁电单晶材料构成的薄膜层，有利于扩大铁电单晶材料在多层薄膜中的应用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 多层 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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